FJPF5027OTU ON Semiconductor
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 338+ | 36.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJPF5027OTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FJPF5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJPF5027, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FJPF5027OTU за ціною від 35.16 грн до 301.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FJPF5027OTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 800V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FJPF5027OTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FJPF5027OTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJPF5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJPF5027 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FJPF5027OTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trans |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FJPF5027OTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FJPF5027-OTU | Виробник : FAIRCHILD | 07+ |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FJPF5027OTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FJPF5027OTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Current gain: 15...30 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 15MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FJPF5027OTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Current gain: 15...30 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 15MHz |
товару немає в наявності |