FJV1845EMTF ONSEMI

Description: ONSEMI - FJV1845EMTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12000+ | 2.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJV1845EMTF ONSEMI
Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 110MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції FJV1845EMTF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FJV1845EMTF | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
![]() |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
![]() |
FJV1845EMTF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FJV1845EMTF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FJV1845EMTF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FJV1845EMTF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |