
FJV1845EMTF ON Semiconductor
на замовлення 63765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9091+ | 3.39 грн |
10205+ | 3.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJV1845EMTF ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 110MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції FJV1845EMTF за ціною від 2.90 грн до 2.90 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FJV1845EMTF | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 100765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FJV1845EMTF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FJV1845EMTF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FJV1845EMTF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FJV1845EMTF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FJV1845EMTF | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
FJV1845EMTF | Виробник : STMicroelectronics |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |