FJV3102RMTF ON Semiconductor
на замовлення 3174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1082+ | 0.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJV3102RMTF ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції FJV3102RMTF за ціною від 1.6 грн до 16.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FJV3102RMTF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 35778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FJV3102RMTF | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FJV3102RMTF | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/10K 10K |
на замовлення 2221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FJV3102RMTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FJV3102RMTF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJV3102RMTF - FJV3102RMTF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FJV3102RMTF | Виробник : FAI | 04+ |
на замовлення 50816 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FJV3102RMTF | Виробник : FAIRCHILD |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FJV3102RMTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FJV3102RMTF | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FJV3102RMTF | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товар відсутній |