FJV992FMTF onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.42 грн |
| 6000+ | 2.95 грн |
| 9000+ | 2.77 грн |
| 15000+ | 2.42 грн |
| 21000+ | 2.30 грн |
| 30000+ | 2.20 грн |
| 75000+ | 1.93 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJV992FMTF onsemi
Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FJV992FMTF за ціною від 2.63 грн до 19.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FJV992FMTF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJV992FMTF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJV992FMTF | onsemi |
Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 92907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJV992FMTF | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJV992FMTF | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA |
на замовлення 56983 шт: термін постачання 395-404 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJV992FMTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FJV992FMTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2552+ | 5.74 грн |
| 3402+ | 4.31 грн |
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 9.88 грн |
| 130+ | 6.04 грн |
| 131+ | 5.99 грн |
| 213+ | 3.54 грн |
| 250+ | 3.24 грн |
| 500+ | 2.93 грн |
| 1000+ | 2.75 грн |
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 92907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.66 грн |
| 31+ | 9.93 грн |
| 100+ | 6.18 грн |
| 500+ | 4.25 грн |
| 1000+ | 3.74 грн |
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA
Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.68 грн |
| 31+ | 9.95 грн |
| 100+ | 6.02 грн |
| 500+ | 4.21 грн |
| 1000+ | 3.61 грн |
| 3000+ | 3.08 грн |
| 6000+ | 2.63 грн |
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA
Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA
на замовлення 56983 шт:
термін постачання 395-404 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.66 грн |
| 28+ | 11.16 грн |
| 100+ | 6.17 грн |
| 500+ | 4.74 грн |
| 1000+ | 4.59 грн |
| 3000+ | 2.93 грн |
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





