FJV992FMTF onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.43 грн |
| 6000+ | 2.95 грн |
| 9000+ | 2.77 грн |
| 15000+ | 2.42 грн |
| 21000+ | 2.31 грн |
| 30000+ | 2.20 грн |
| 75000+ | 1.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJV992FMTF onsemi
Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FJV992FMTF за ціною від 2.12 грн до 16.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FJV992FMTF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJV992FMTF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FJV992FMTF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJV992FMTF | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FJV992FMTF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FJV992FMTF | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 92907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FJV992FMTF |
|
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
FJV992FMTF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FJV992FMTF | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.05A; 0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 300...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FJV992FMTF | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.05A; 0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 300...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
товару немає в наявності |