FK4B01100LE

FK4B01100LE Nuvoton Technology Corporation


DS_FK4B01100L_EN_Rev1.02.pdf Виробник: Nuvoton Technology Corporation
Description: SINGLE NCH MOSFET 12V, 3.4A, 27M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 236µA
Supplier Device Package: 4-CSP (0.8x0.8)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FK4B01100LE Nuvoton Technology Corporation

Description: SINGLE NCH MOSFET 12V, 3.4A, 27M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFLGA, CSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 236µA, Supplier Device Package: 4-CSP (0.8x0.8), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FK4B01100LE за ціною від 33.08 грн до 110.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FK4B01100LE FK4B01100LE Виробник : Nuvoton Technology Corporation DS_FK4B01100L_EN_Rev1.02.pdf Description: SINGLE NCH MOSFET 12V, 3.4A, 27M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 236µA
Supplier Device Package: 4-CSP (0.8x0.8)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.35 грн
10+67.50 грн
100+44.93 грн
500+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.