FMB857B ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FMB857B - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1527+ | 20.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMB857B ONSEMI
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SUPERSOT-6, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 700 mW.
Інші пропозиції FMB857B за ціною від 25.09 грн до 25.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FMB857B | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SUPERSOT-6 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FMB857B | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
FMB857B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R |
товару немає в наявності |