FMBM5401 onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SUPERSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.32 грн |
| 6000+ | 9.43 грн |
| 9000+ | 8.75 грн |
| 30000+ | 8.03 грн |
| 75000+ | 7.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMBM5401 onsemi
Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 700mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.
Інші пропозиції FMBM5401 за ціною від 8.27 грн до 37.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FMBM5401 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 700mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FMBM5401 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 5975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FMBM5401 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 5975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FMBM5401 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SUPERSOT-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 95770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FMBM5401 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier |
на замовлення 58528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FMBM5401 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FMBM5401 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 700mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FMBM5401 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FMBM5401 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
FMBM5401 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |