Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FMBM5401
FMBM5401

FMBM5401 ON Semiconductor

fmbm5401-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
524+26.97 грн
640+22.06 грн
646+21.85 грн
805+16.91 грн
1000+13.20 грн
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 524 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FMBM5401 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 700mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FMBM5401 за ціною від 10.77 грн до 48.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FMBM5401 FMBM5401 ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.81 грн
26+29.01 грн
28+26.97 грн
100+21.27 грн
250+19.51 грн
500+15.03 грн
1000+12.68 грн
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 FMBM5401 ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 FMBM5401 ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+45.12 грн
316+44.68 грн
320+44.24 грн
500+42.23 грн
1000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 FMBM5401 onsemi fmbm5401-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SUPERSOT-6
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.71 грн
11+29.04 грн
100+18.68 грн
500+13.35 грн
1000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 FMBM5401 onsemi / Fairchild FMBM5401-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
на замовлення 25911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 FMBM5401 ONSEMI fmbm5401-d.pdf Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 FMBM5401 ONSEMI fmbm5401-d.pdf Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 fmbm5401-d.pdf
FMBM5401
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+34.81 грн
26+29.01 грн
28+26.97 грн
100+21.27 грн
250+19.51 грн
500+15.03 грн
1000+12.68 грн
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 fmbm5401-d.pdf
FMBM5401
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 fmbm5401-d.pdf
FMBM5401
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
313+45.12 грн
316+44.68 грн
320+44.24 грн
500+42.23 грн
1000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 fmbm5401-d.pdf
FMBM5401
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SUPERSOT-6
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.71 грн
11+29.04 грн
100+18.68 грн
500+13.35 грн
1000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 FMBM5401-D.PDF
FMBM5401
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
на замовлення 25911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 fmbm5401-d.pdf
FMBM5401
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMBM5401 fmbm5401-d.pdf
FMBM5401
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.