FMBM5551 ON Semiconductor
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 63+ | 9.70 грн |
| 64+ | 9.55 грн |
| 65+ | 9.40 грн |
| 100+ | 8.91 грн |
| 250+ | 8.12 грн |
| 500+ | 7.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMBM5551 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW, tariffCode: 85413000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 700mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FMBM5551 за ціною від 8.39 грн до 49.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FMBM5551 | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS 2NPN 160V 600MA SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FMBM5551 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW tariffCode: 85413000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMBM5551 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW tariffCode: 85413000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FMBM5551 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier |
на замовлення 77921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMBM5551 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 160V 600MA SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 12755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMBM5551 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FMBM5551 | Виробник : FAIRCHIL |
07+ SOP28 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FMBM5551 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FMBM5551 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FMBM5551 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FMBM5551 | Виробник : ONSEMI |
FMBM5551 NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |