FMBS2383 onsemi


fmbs2383-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.8A SUPERSOT-6
Power - Max: 630 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1285+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 1285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FMBS2383 onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.8A SUPERSOT-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 630 mW.

Інші пропозиції FMBS2383

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FMBS2383 ON Semiconductor / Fairchild FMBS2383-1300716.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Xsistr
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FMBS2383 FMBS2383-1300716.pdf
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Xsistr
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.