Технічний опис FMD21-05QC IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC, Packaging: Tube, Package / Case: i4-Pac™-5, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V.
Інші пропозиції FMD21-05QC
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FMD2105QC | Виробник : MIT | MODULE |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FMD21-05QC | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |