| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1738.21 грн |
| 10+ | 1596.04 грн |
| 25+ | 1178.22 грн |
| 100+ | 1157.25 грн |
| 250+ | 1081.08 грн |
| 500+ | 1004.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMM22-05PF IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC, Packaging: Tube, Package / Case: i4-Pac™-5, Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 132W, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, Part Status: Active.
Інші пропозиції FMM22-05PF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FMM22-05PF | MOSFET MOD N-CH 500V 13A I4-PAC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||
| FMM22-05PF | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 132W Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Active |
товару немає в наявності |