FMM22-06PF IXYS
Виробник: IXYS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 58nC
Technology: PolarHV™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.35Ω
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 58nC
Technology: PolarHV™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.35Ω
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1464.05 грн |
| 2+ | 1285.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMM22-06PF IXYS
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 130W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 58nC, Technology: PolarHV™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 66A, Mounting: THT, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a, Semiconductor structure: double series, Reverse recovery time: 200ns, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, On-state resistance: 0.35Ω, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FMM22-06PF за ціною від 1167.53 грн до 1961.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FMM22-06PF | Виробник : IXYS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 600V; 12A; Idm: 66A Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Technology: PolarHV™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 66A Mounting: THT Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A On-state resistance: 0.35Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FMM22-06PF | Виробник : IXYS |
 MOSFETs PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 600V 12 |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FMM22-06PF | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 130W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Active |
товару немає в наявності |