FMMT413TD Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 202.56 грн |
| 1500+ | 176.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMMT413TD Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FMMT413TD за ціною від 166.30 грн до 498.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FMMT413TD | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FMMT413TD | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FMMT413TD | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FMMT413TD | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FMMT413TD | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FMMT413TD | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche |
на замовлення 839 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT413TD | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Avalanche Mode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FMMT413TD | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FMMT413TD | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FMMT413TD | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| FMMT413TD |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 259.40 грн |
| FMMT413TD |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 259.55 грн |
| FMMT413TD |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 272.83 грн |
| FMMT413TD |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 272.83 грн |
| FMMT413TD |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 272.83 грн |
| FMMT413TD |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
на замовлення 839 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 447.79 грн |
| 10+ | 311.62 грн |
| 100+ | 195.99 грн |
| 500+ | 166.30 грн |
| FMMT413TD |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 498.77 грн |
| 10+ | 322.56 грн |
| 25+ | 280.76 грн |
| 50+ | 239.21 грн |
| 100+ | 218.80 грн |
| FMMT413TD |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FMMT413TD |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FMMT413TD |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




