FMMT413TD Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 178.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMMT413TD Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FMMT413TD за ціною від 172.20 грн до 424.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FMMT413TD | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT413TD | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT413TD | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT413TD | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT413TD | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT413TD | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FMMT413TD | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT413TD | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Avalanche Mode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 32031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT413TD | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT413TD | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT413TD | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FMMT413TD | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FMMT413TD | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FMMT413TD | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FMMT413TD | Виробник : DIODES INCORPORATED |
FMMT413TD NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |