Продукція > DIODES INCORPORATED > FMMT413TD
FMMT413TD

FMMT413TD Diodes Incorporated

FMMT413A.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+167.32 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FMMT413TD Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FMMT413TD за ціною від 197.38 грн до 422.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FMMT413TD FMMT413TD Diodes Zetex 5250218890941520fmmt413.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+251.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413TD Diodes Zetex 5250218890941520fmmt413.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+251.16 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413TD Diodes Zetex 5250218890941520fmmt413.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+264.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413TD Diodes Zetex 5250218890941520fmmt413.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+264.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413TD Diodes Incorporated FMMT413A.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 42734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.32 грн
10+273.04 грн
100+197.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413TD Diodes Zetex 5250218890941520fmmt413.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413TD DIODES INC. FMMT413A.pdf Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413TD Diodes Incorporated FMMT413.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413TD DIODES INC. FMMT413A.pdf Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD 5250218890941520fmmt413.pdf
FMMT413TD
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+251.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD 5250218890941520fmmt413.pdf
FMMT413TD
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+251.16 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD 5250218890941520fmmt413.pdf
FMMT413TD
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+264.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD 5250218890941520fmmt413.pdf
FMMT413TD
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+264.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413A.pdf
FMMT413TD
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 42734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+422.32 грн
10+273.04 грн
100+197.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD 5250218890941520fmmt413.pdf
FMMT413TD
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413A.pdf
FMMT413TD
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413.pdf
FMMT413TD
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413A.pdf
FMMT413TD
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.