FMMT415TD
Код товару: 132776
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FMMT415TD за ціною від 299.51 грн до 655.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FMMT415TD | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Avalanche Mode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FMMT415TD | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FMMT415TD | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Avalanche Mode Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 27498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FMMT415TD | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
FMMT415TD | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
FMMT415TD | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| FMMT415TD |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 299.51 грн |
| FMMT415TD |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 472.58 грн |
| FMMT415TD |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 655.57 грн |
| 10+ | 433.77 грн |
| 100+ | 353.02 грн |
| FMMT415TD |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FMMT415TD |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FMMT415TD |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




