FMMT415TD

FMMT415TD Diodes Incorporated


FMMT415.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+323.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FMMT415TD Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FMMT415TD за ціною від 340.78 грн до 805.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Zetex 5250043122012634fmmt415.pdf Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+414.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833653-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+555.18 грн
50+467.92 грн
100+387.25 грн
250+379.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Incorporated FMMT415.pdf Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 27498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+708.77 грн
10+468.97 грн
100+381.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Incorporated FMMT415.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+756.29 грн
10+515.70 грн
100+364.01 грн
500+340.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833653-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+805.40 грн
5+680.29 грн
10+555.18 грн
50+467.92 грн
100+387.25 грн
250+379.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD
Код товару: 132776
Додати до обраних Обраний товар

FMMT415.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Inc 5250043122012634fmmt415.pdf Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Zetex 5250043122012634fmmt415.pdf Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD Виробник : DIODES INCORPORATED FMMT415.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 500mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.