Продукція > DIODES INCORPORATED > FMMT415TD
FMMT415TD

FMMT415TD Diodes Incorporated

FMMT415.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+311.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FMMT415TD Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FMMT415TD за ціною від 301.96 грн до 739.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Zetex 5250043122012634fmmt415.pdf Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+369.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833653-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+543.67 грн
50+465.52 грн
100+392.69 грн
250+356.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Incorporated FMMT415.pdf Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 14863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+681.04 грн
10+451.05 грн
100+367.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Incorporated FMMT415.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+726.59 грн
10+502.65 грн
100+354.80 грн
500+301.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833653-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - FMMT415TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+739.29 грн
5+641.90 грн
10+543.67 грн
50+465.52 грн
100+392.69 грн
250+356.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD
Код товару: 132776
Додати до обраних Обраний товар

FMMT415.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Inc 5250043122012634fmmt415.pdf Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Zetex 5250043122012634fmmt415.pdf Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415TD Виробник : Diodes Zetex 5250043122012634fmmt415.pdf Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.