Продукція > GALAXY > FMMT458

FMMT458 GALAXY

Виробник: GALAXY
Transistor NPN; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FMMT458TA; FMMT458TC; FMMT458 GALAXY TFMMT458 GAL
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FMMT458 GALAXY

Description: DIODES INC. - FMMT458 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 225 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 225mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FMMT458

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FMMT458 FMMT458 Виробник : DIODES INC. 1899059.pdf Description: DIODES INC. - FMMT458 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 225 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 225mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT458 FMMT458 Виробник : DIODES INC. 1899059.pdf Description: DIODES INC. - FMMT458 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 225 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 225mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT458 Виробник : Diodes Incorporated FMMT458-3214990.pdf Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS HP NPN 400V 225MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.