Продукція > DIODES ZETEX > FMMT555QTA
FMMT555QTA

FMMT555QTA Diodes Zetex

fmmt555q.pdf Виробник: Diodes Zetex
150V PNP Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FMMT555QTA Diodes Zetex

Description: SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції FMMT555QTA за ціною від 8.20 грн до 33.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FMMT555QTA Виробник : Diodes Zetex fmmt555q.pdf 150V PNP Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT555QTA Виробник : Diodes Zetex fmmt555q.pdf 150V PNP Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT555QTA Виробник : Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor SOT23 T&R 3K
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.02 грн
13+27.46 грн
100+17.78 грн
500+14.01 грн
1000+11.18 грн
3000+8.85 грн
9000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT555QTA FMMT555QTA Виробник : Diodes Incorporated Description: SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.