Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FMMT593QTA за ціною від 8.38 грн до 58.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FMMT593QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 (Type DN) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FMMT593QTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT593QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMMT593QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 (Type DN) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 10585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FMMT593QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A |
на замовлення 5333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMMT593QTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT593QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|