на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMMT717TA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - FMMT717TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2.5 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 45hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Dauerkollektorstrom: 2.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2.5A, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FMMT717TA за ціною від 5.03 грн до 61.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FMMT717TA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 12V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FMMT717TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 12V 2.5A 625mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMMT717TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMMT717TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FMMT717TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 2.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMMT717TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMMT717TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FMMT717TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT717TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2.5 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 45hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2.5A Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMMT717TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 2.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 7453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FMMT717TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP SuperSOT |
на замовлення 33566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMMT717TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT717TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2.5 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FMMT717TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FMMT717TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
FMMT717TA PNP SMD transistors |
на замовлення 825 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FMMT717TA Код товару: 2768
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
FMMT717TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |