FODM121G ON Semiconductor


fodm2701a.pdf
Виробник: ON Semiconductor
DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin Mini-Flat
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1356+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 1356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FODM121G ON Semiconductor

Description: OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD, Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA, Number of Channels: 1, Rise / Fall Time (Typ): 3µs, 3µs, Voltage - Output (Max): 80V, Supplier Device Package: 4-SMD, Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA, Vce Saturation (Max): 400mV, Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA, Voltage - Isolation: 3750Vrms, Current - Output / Channel: 80mA, Input Type: DC, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V (Max), Operating Temperature: -40°C ~ 110°C, Mounting Type: Surface Mount, Output Type: Transistor, Package / Case: 4-SMD, Gull Wing, Packaging: Box.

Інші пропозиції FODM121G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FODM121G ONSEMI FAIRS27631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FODM121G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FODM121G FAIRS27631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM121G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1588 шт
В кошику  од. на суму  грн.