Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FODM121G ON Semiconductor
Description: OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD, Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA, Number of Channels: 1, Rise / Fall Time (Typ): 3µs, 3µs, Voltage - Output (Max): 80V, Supplier Device Package: 4-SMD, Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA, Vce Saturation (Max): 400mV, Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA, Voltage - Isolation: 3750Vrms, Current - Output / Channel: 80mA, Input Type: DC, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V (Max), Operating Temperature: -40°C ~ 110°C, Mounting Type: Surface Mount, Output Type: Transistor, Package / Case: 4-SMD, Gull Wing, Packaging: Box.
Інші пропозиції FODM121G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FODM121G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FODM121G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1588 шт В кошику од. на суму грн. |
| FODM121G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM121G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FODM121G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



