Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP06R12W1T4_B3

FP06R12W1T4_B3 Infineon Technologies

Infineon_FP06R12W1T4_B3_DS_v02_03_en_de-3359965.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER EASY
на замовлення 7 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3162.75 грн
10+3017.42 грн
24+2372.34 грн
48+2189.91 грн
120+2129.85 грн
264+2127.60 грн
504+2124.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP06R12W1T4_B3 Infineon Technologies

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Power dissipation: 94W, Technology: EasyPIM™ 1B, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 12A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: AG-EASY1B-1, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 6A.

Інші пропозиції FP06R12W1T4_B3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FP06R12W1T4B3BOMA1 FP06R12W1T4B3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP06R12W1T4B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 94W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 12A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-EASY1B-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP06R12W1T4B3BOMA1 FP06R12W1T4B3.pdf
FP06R12W1T4B3BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 94W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 12A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-EASY1B-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.