FP06R12W1T4B3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-EASY1B-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 94W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 12A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2290.28 грн |
| 3+ | 1910.29 грн |
| 10+ | 1783.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP06R12W1T4B3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: AG-EASY1B-1, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 6A, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Power dissipation: 94W, Technology: EasyPIM™ 1B, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 12A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB.
Інші пропозиції FP06R12W1T4B3BOMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FP06R12W1T4_B3 | Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FP06R12W1T4_B3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER EASY
IGBT Modules LOW POWER EASY
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)