FP06R12W1T4B3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2604.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP06R12W1T4B3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A, Power dissipation: 94W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: EasyPIM™ 1B, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Case: AG-EASY1B-1, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 6A, Pulsed collector current: 12A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FP06R12W1T4B3BOMA1 за ціною від 2457.63 грн до 3125.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP06R12W1T4B3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 0 94W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 6A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 94 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FP06R12W1T4B3BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A Power dissipation: 94W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-EASY1B-1 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 6A Pulsed collector current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
 |
FP06R12W1T4B3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 12A 94W 20-Pin EASY1B-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
FP06R12W1T4B3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 12A 94000mW 20-Pin EASY1B-1 Tray |
товару немає в наявності |