Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP06R12W1T4B3BOMA1
FP06R12W1T4B3BOMA1

FP06R12W1T4B3BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-FP06R12W1T4_B3-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a30433ba77ced013bada6fc1e33b3
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 0 94W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 6A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 94 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2823.29 грн
24+2422.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP06R12W1T4B3BOMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 0 94W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 6A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 94 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FP06R12W1T4B3BOMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FP06R12W1T4B3BOMA1 FP06R12W1T4B3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP06R12W1T4B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 94W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 12A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-EASY1B-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP06R12W1T4B3BOMA1 FP06R12W1T4B3BOMA1 Infineon Technologies 3990ds_fp06r12w1t4_b3_2_3_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 12A 94W 20-Pin EASY1B-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP06R12W1T4B3BOMA1 FP06R12W1T4B3.pdf
FP06R12W1T4B3BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 94W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 12A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-EASY1B-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP06R12W1T4B3BOMA1 3990ds_fp06r12w1t4_b3_2_3_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1.pdf
FP06R12W1T4B3BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 12A 94W 20-Pin EASY1B-1 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.