Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP100R07N3E4BOSA1
FP100R07N3E4BOSA1

FP100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FP100R07N3E4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043324cae8c013262bbe5453970
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7020.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 100A 335W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 335 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP100R07N3E4BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FP100R07N3E4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP100R07N3E4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043324cae8c013262bbe5453970 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO3-3; Inverter; 335W; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 335W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R07N3E4BOSA1 FP100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies infineonfp100r07n3e4datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 43-Pin ECONO3-3 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R07N3E4BOSA1 FP100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies infineonfp100r07n3e4datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 43-Pin ECONO3-3 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R07N3E4BOSA1 Infineon-FP100R07N3E4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043324cae8c013262bbe5453970
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO3-3; Inverter; 335W; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 335W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R07N3E4BOSA1 infineonfp100r07n3e4datasheetv0110en.pdf
FP100R07N3E4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 43-Pin ECONO3-3 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R07N3E4BOSA1 infineonfp100r07n3e4datasheetv0110en.pdf
FP100R07N3E4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 43-Pin ECONO3-3 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.