Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP100R07N3E4BOSA1
FP100R07N3E4BOSA1

FP100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FP100R07N3E4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043324cae8c013262bbe5453970 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10278.52 грн
10+9161.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 100A 335W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 335 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP100R07N3E4BOSA1 за ціною від 11522.15 грн до 11522.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP100R07N3E4BOSA1 FP100R07N3E4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP100R07N3E4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043324cae8c013262bbe5453970 Description: IGBT MOD 650V 100A 335W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+11522.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R07N3E4BOSA1 FP100R07N3E4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 2608ds_fp100r07n3e4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fi.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.