Технічний опис FP100R12KT4-B11 EUPEC
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 100A, Case: AG-ECONO3-3, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Power dissipation: 515W, Technology: EconoPIM™ 3, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції FP100R12KT4-B11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FP100R12KT4_B11 | Infineon Technologies |
 IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FP100R12KT4_B11 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A
IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)