Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP100R12KT4B11BOSA1
FP100R12KT4B11BOSA1

FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8859.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP100R12KT4B11BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 515W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції FP100R12KT4B11BOSA1 за ціною від 7812.39 грн до 14930.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18 Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9365.54 грн
10+7812.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 219ds_fp100r12kt4_b11_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+12486.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 219ds_fp100r12kt4_b11_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+12486.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 219ds_fp100r12kt4_b11_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+12486.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 219ds_fp100r12kt4_b11_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+12486.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : INFINEON INFNS28443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FP100R12KT4B11BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13991.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 219ds_fp100r12kt4_b11_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14930.50 грн
5+14443.63 грн
10+14200.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 219ds_fp100r12kt4_b11_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 219ds_fp100r12kt4_b11_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 219ds_fp100r12kt4_b11_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: AG-ECONO3-3
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: EconoPIM™ 3
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 515W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: AG-ECONO3-3
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: EconoPIM™ 3
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 515W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.