FP100R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10235.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP100R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP100R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 515W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FP100R12KT4BOSA1 за ціною від 10833.54 грн до 22063.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP100R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 100A 515WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 515 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FP100R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FP100R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FP100R12KT4BOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FP100R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W euEccn: NLR Verlustleistung: 515W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FP100R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FP100R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FP100R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||
 |
FP100R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товар відсутній |