FP100R12KT4BOSA1

FP100R12KT4BOSA1 Infineon Technologies


9855ds_fp100r12kt4_2_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+8459.36 грн
5+8215.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP100R12KT4BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP100R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 515W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FP100R12KT4BOSA1 за ціною від 9426.37 грн до 15092.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP100R12KT4BOSA1 FP100R12KT4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP100R12KT4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30431689f4420116cd50f28d0a58 Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9426.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4BOSA1 FP100R12KT4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 786ds_fp100r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9826.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4BOSA1 FP100R12KT4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9855ds_fp100r12kt4_2_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+12093.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4BOSA1 FP100R12KT4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9855ds_fp100r12kt4_2_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+12093.22 грн
25+11851.24 грн
100+11367.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4BOSA1 FP100R12KT4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9855ds_fp100r12kt4_2_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+12093.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4BOSA1 FP100R12KT4BOSA1 Виробник : INFINEON INFNS28442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FP100R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15092.80 грн
5+13206.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4BOSA1 FP100R12KT4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9855ds_fp100r12kt4_2_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4BOSA1 FP100R12KT4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9855ds_fp100r12kt4_2_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4BOSA1 FP100R12KT4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FP100R12KT4_DS_v02_00_EN-3360225.pdf IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.