FP100R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7957.29 грн |
| 10+ | 6106.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP100R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP100R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, Verlustleistung: 515W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 100A, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FP100R12KT4BOSA1 за ціною від 10096.38 грн до 11726.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP100R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FP100R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FP100R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FP100R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FP100R12KT4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP100R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W Verlustleistung: 515W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 100A Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FP100R12KT4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11058.61 грн |
| 10+ | 10096.38 грн |
| FP100R12KT4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 11058.61 грн |
| 10+ | 10096.38 грн |
| FP100R12KT4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 11726.19 грн |
| 100+ | 11140.36 грн |
| FP100R12KT4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 11726.19 грн |
| FP100R12KT4BOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
Verlustleistung: 515W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - FP100R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
Verlustleistung: 515W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)