FP10R12W1T4B11BOMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FP10R12W1T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 10 A, 1.85 V, 105 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2977.18 грн |
| 5+ | 2694.15 грн |
| 10+ | 2411.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP10R12W1T4B11BOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - FP10R12W1T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 10 A, 1.85 V, 105 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 10A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 105W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FP10R12W1T4B11BOMA1 за ціною від 3039.03 грн до 3968.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP10R12W1T4B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 20A 105W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 105 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP10R12W1T4B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105W 23-Pin EASY1B-2 Tray |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FP10R12W1T4B11BOMA1 Код товару: 199758 |
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
|
|
FP10R12W1T4B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105W 23-Pin EASY1B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FP10R12W1T4B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105000mW 23-Pin EASY1B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FP10R12W1T4B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105W 23-Pin EASY1B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FP10R12W1T4B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
товару немає в наявності |