FP10R12W1T4PBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 20A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 2468.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP10R12W1T4PBPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 20A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FP10R12W1T4PBPSA1 за ціною від 2131.39 грн до 3272.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FP10R12W1T4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 20A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP10R12W1T4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 10 A PIM IGBT module |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP10R12W1T4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EasyPIM™ module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FP10R12W1T4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EasyPIM™ module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material |
товару немає в наявності |