FP10R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2302.33 грн |
| 10+ | 1738.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP10R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP10R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: -, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FP10R12W1T7B11BOMA1 за ціною від 2165.01 грн до 2470.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP10R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 10A AG-EASY1B-2Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 4.5 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.89 nF @ 25 V |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP10R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FP10R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: - Produktpalette: EasyPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP10R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 10A 23-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FP10R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Technology: EasyPIM™ 1B Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Collector current: 10A Pulsed collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Case: AG-EASY1B-2 |
товару немає в наявності |