FP150R12N3T7PB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 12 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP150R12N3T7PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP150R12N3T7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55, Dauer-Kollektorstrom: 150, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: IGBT7 [Trench Stop], Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, DC-Kollektorstrom: 150, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FP150R12N3T7PB11BPSA1 за ціною від 14820.76 грн до 20170.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP150R12N3T7PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
FP150R12N3T7PB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP150R12N3T7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 Dauer-Kollektorstrom: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55 Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: IGBT7 [Trench Stop] Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter DC-Kollektorstrom: 150 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| FP150R12N3T7PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FP150R12N3T7PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FP150R12N3T7PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A Tray |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FP150R12N3T7PB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER ECONO
IGBT Modules LOW POWER ECONO
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FP150R12N3T7PB11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP150R12N3T7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Dauer-Kollektorstrom: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: IGBT7 [Trench Stop]
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: INFINEON - FP150R12N3T7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Dauer-Kollektorstrom: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: IGBT7 [Trench Stop]
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FP150R12N3T7PB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14820.76 грн |
| FP150R12N3T7PB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14820.76 грн |
| FP150R12N3T7PB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A Tray
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 20170.90 грн |
| 25+ | 19766.94 грн |