FP15R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3463.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP15R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 25A 105W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 105 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FP15R12KE3GBOSA1 за ціною від 4494.53 грн до 4494.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP15R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 25A 105WPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 105 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FP15R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 100W 24-Pin ECONO2-5 Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
FP15R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 100000mW 24-Pin ECONO2-5 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
| FP15R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |