FP15R12W1T4

FP15R12W1T4 Infineon Technologies


Infineon_FP15R12W1T4_DS_v02_02_EN-3361619.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules IGBT-MODULE
на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3442.06 грн
24+ 3023.9 грн
48+ 2261.84 грн
120+ 2181.46 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP15R12W1T4 Infineon Technologies

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 15A, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 15A, Case: AG-EASY1B-1, Application: frequency changer; Inverter, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 30A, Power dissipation: 130W, Technology: EasyPIM™ 1B, Mechanical mounting: screw.

Інші пропозиції FP15R12W1T4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FP15R12W1T4 Виробник : EUPEC 15A/1200V/PIM
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FP15R12W1T4
Код товару: 128818
Транзистори > IGBT
товар відсутній
FP15R12W1T4 FP15R12W1T4 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FP15R12W1T4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Application: frequency changer; Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
товар відсутній