
FP15R12W1T4PB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4023.69 грн |
10+ | 3534.73 грн |
30+ | 2890.49 грн |
60+ | 2794.12 грн |
120+ | 2697.75 грн |
270+ | 2601.37 грн |
510+ | 2480.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP15R12W1T4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 30A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 890 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FP15R12W1T4PB11BPSA1 за ціною від 3095.00 грн до 3095.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FP15R12W1T4PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FP15R12W1T4PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FP15R12W1T4PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FP15R12W1T4PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FP15R12W1T4PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 890 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |