FP200R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.3 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13165.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP200R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP200R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FP200R12N3T7B11BPSA1 за ціною від 15448.32 грн до 28763.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP200R12N3T7B11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FP200R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FP200R12N3T7B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| FP200R12N3T7B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A Tray |
товару немає в наявності |