FP25R12W1T7B11BPSA1

FP25R12W1T7B11BPSA1 Infineon Technologies


infineonfp25r12w1t7b11datasheetv0010en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 23-Pin Tray
на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2695.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP25R12W1T7B11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP25R12W1T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 25A, Anzahl der Pins: 23Pin(s), Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 25A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FP25R12W1T7B11BPSA1 за ціною від 1846.13 грн до 3284.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP25R12W1T7_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d2ef56637 Description: IGBT MOD 1200V 25A AG-EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A (Typ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2853.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP25R12W1T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf IGBT Modules 1200 V, 25 A PIM IGBT module
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2968.44 грн
10+2213.05 грн
120+1846.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonfp25r12w1t7b11datasheetv0010en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 23-Pin Tray
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3179.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : INFINEON 2786284.pdf Description: INFINEON - FP25R12W1T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3284.64 грн
5+2957.56 грн
10+2630.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fp25r12w1t7_b11-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 23-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D8C237D8D178BF&compId=FP25R12W1T7_B11.pdf?ci_sign=a732f48776801bfedc233a3fbcc66a36b16c6886 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: AG-EASY1B-2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.