Продукція > Транзистори > IGBT > FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

Код товару: 207529

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції FP25R12W2T4

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
FP25R12W2T4	INFINEON	Description: INFINEON - FP25R12W2T4 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module tariffCode: 85413000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 25A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 175W euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 23Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 25A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FP25R12W2T4	EUPEC	25A/1200V/PIM/7U	на замовлення 97 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FP25R12W2T4	Infineon Technologies	IGBT Modules N-CH 1.2KV 39A	на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

FP25R12W2T4

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W2T4 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FP25R12W2T4

Виробник: EUPEC
25A/1200V/PIM/7U

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FP25R12W2T4

Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules N-CH 1.2KV 39A

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

З цим товаром купують

IR2233JPBF
Код товару: 74195

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Infineon
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: PLCC-44
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 0,2/0,42 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 750/700 ns
Примітка: Драйвер 3-фазного моста
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст

товару немає в наявності

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	155.00 грн

В кошику од. на суму грн.