Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

Код товару: 58899
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FP25R12W2T4 за ціною від 2146.06 грн до 3218.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FP25R12W2T4 FP25R12W2T4 INFINEON 1926744.pdf Description: INFINEON - FP25R12W2T4 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W2T4-DS-v02_02-EN.pdf IGBT Modules N-CH 1.2KV 39A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+3218.60 грн
10+2838.00 грн
105+2146.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4 1926744.pdf
FP25R12W2T4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W2T4 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4 Infineon-FP25R12W2T4-DS-v02_02-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules N-CH 1.2KV 39A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3218.60 грн
10+2838.00 грн
105+2146.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.