Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

Код товару: 58899
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FP25R12W2T4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FP25R12W2T4 FP25R12W2T4 INFINEON 1926744.pdf Description: INFINEON - FP25R12W2T4 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4 EUPEC 25A/1200V/PIM/7U
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W2T4-DS-v02_02-EN.pdf IGBT Modules N-CH 1.2KV 39A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4 1926744.pdf
FP25R12W2T4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W2T4 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4
Виробник: EUPEC
25A/1200V/PIM/7U
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4 Infineon-FP25R12W2T4-DS-v02_02-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules N-CH 1.2KV 39A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.