Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP25R12W2T4B11BOMA1
FP25R12W2T4B11BOMA1

FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies

infineonfp25r12w2t4b11dsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1599.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP25R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 175W, Verlustleistung: 175W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 39A, Produktpalette: EasyPIM 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 39A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FP25R12W2T4B11BOMA1 за ціною від 2409.33 грн до 4968.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FP25R12W2T4B11BOMA1 FP25R12W2T4B11BOMA1 INFINEON 1926745.pdf Description: INFINEON - FP25R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
Verlustleistung: 175W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 39A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3058.12 грн
5+2734.14 грн
10+2409.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4B11BOMA1 FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W2T4_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed27bf4a0232 Description: IGBT MOD 1200V 39A 175W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 175 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3733.11 грн
15+2591.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4B11BOMA1 FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies infineonfp25r12w2t4b11dsv0201en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4188.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4B11BOMA1 FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies infineonfp25r12w2t4b11dsv0201en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4968.88 грн
5+4918.52 грн
10+3653.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4B11BOMA1 FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies infineonfp25r12w2t4b11dsv0201en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4B11BOMA1 1926745.pdf
FP25R12W2T4B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
Verlustleistung: 175W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 39A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3058.12 грн
5+2734.14 грн
10+2409.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon-FP25R12W2T4_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed27bf4a0232
FP25R12W2T4B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 39A 175W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 175 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3733.11 грн
15+2591.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4B11BOMA1 infineonfp25r12w2t4b11dsv0201en.pdf
FP25R12W2T4B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+4188.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4B11BOMA1 infineonfp25r12w2t4b11dsv0201en.pdf
FP25R12W2T4B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+4968.88 грн
5+4918.52 грн
10+3653.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4B11BOMA1 infineonfp25r12w2t4b11dsv0201en.pdf
FP25R12W2T4B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.