FP25R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3285.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP25R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP25R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 39A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 175W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 39A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FP25R12W2T4BOMA1 за ціною від 3459.69 грн до 4190.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FP25R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FP25R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP25R12W2T4BOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FP25R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 39A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 175W euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 39A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FP25R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: FP25R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
FP25R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175000mW 23-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FP25R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 39A 175W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 39 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 175 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FP25R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
товару немає в наявності |