FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies


infineon-fp25r12w2t4p-ds-v03_00-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material
на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+4317.14 грн
10+4196.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 50A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP25R12W2T4PBPSA1 за ціною від 3209.78 грн до 4490.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FP25R12W2T4PBPSA1 FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies infineon-fp25r12w2t4p-ds-v03_00-cn.pdf Module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+4490.56 грн
100+4266.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4PBPSA1 FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies infineon-fp25r12w2t4p-ds-v03_00-cn.pdf Module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+4490.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W2T4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfbc806e571fc Description: FP25R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3209.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4PBPSA1 infineon-fp25r12w2t4p-ds-v03_00-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+4490.56 грн
100+4266.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4PBPSA1 infineon-fp25r12w2t4p-ds-v03_00-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+4490.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon-FP25R12W2T4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfbc806e571fc
Виробник: Infineon Technologies
Description: FP25R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+3209.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.