FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4028.34 грн |
| 10+ | 2980.74 грн |
| 108+ | 2539.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP25R12W2T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.85 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 25A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 25A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FP25R12W2T4PBPSA1 за ціною від 3490.49 грн до 4609.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP25R12W2T4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FP25R12W2T4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FP25R12W2T4PBPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FP25R12W2T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.85 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 25A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 25A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FP25R12W2T4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: FP25R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
FP25R12W2T4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FP25R12W2T4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EasyPIM™ module with fast Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/pre-applied Thermal Interface Material |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FP25R12W2T4PBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 50A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |