FP30R06KE3BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5729.02 грн |
10+ | 4559.26 грн |
30+ | 3930.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP30R06KE3BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP30R06KE3BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 37 A, 1.55 V, 125 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 37A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 125W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EconoPIM 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 37A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FP30R06KE3BPSA1 за ціною від 6292.07 грн до 9586.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FP30R06KE3BPSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 37A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: EconoPIM 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 37A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FP30R06KE3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO2C IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 37 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 125 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
FP30R06KE3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FP30R06KE3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FP30R06KE3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FP30R06KE3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
FP30R06KE3BPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Application: Inverter Power dissipation: 125W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 2 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO2C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
FP30R06KE3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
FP30R06KE3BPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Application: Inverter Power dissipation: 125W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 2 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO2C |
товару немає в наявності |