FP35R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FP35R12KT4-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a30433dcea2e4013dcec5ad340031 Виробник: Infineon Technologies
Description: FP35R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+6564.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP35R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 70A 210W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 210 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP35R12KT4B16BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FP35R12KT4B16BOSA1 Виробник : Infineon Technologies nods.pdf FP35R12KT4B16BOSA1
товар відсутній
FP35R12KT4B16BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP35R12KT4-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a30433dcea2e4013dcec5ad340031 Description: IGBT MOD 1200V 70A 210W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
товар відсутній
FP35R12KT4B16BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP35R12KT4-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a30433dcea2e4013dcec5ad340031 IGBT Modules LOW POWER ECONO
товар відсутній