FP35R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 7311.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP35R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 70A 210W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 210 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FP35R12KT4B16BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FP35R12KT4B16BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 FP35R12KT4B16BOSA1 |
товару немає в наявності |
||
| FP35R12KT4B16BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 70A 210W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 210 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
| FP35R12KT4B16BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |