Технічний опис FP35R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 35A 210W MOD, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 210 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FP35R12KT4BOSA1 за ціною від 5395.15 грн до 5395.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FP35R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210W 23-Pin ECONO2-4 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FP35R12KT4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210W 23-Pin ECONO2-4
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210W 23-Pin ECONO2-4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 5395.15 грн |



