Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP35R12W2T4B11BOMA1
FP35R12W2T4B11BOMA1

FP35R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-FP35R12W2T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed3bcbcc0279 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 54A 215W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+3837.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP35R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP35R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 54A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 215W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 215W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 54A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FP35R12W2T4B11BOMA1 за ціною від 3572.76 грн до 5030.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 944ds_fp35r12w2t4_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4636.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP35R12W2T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed3bcbcc0279 Description: IGBT MOD 1200V 54A 215W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4910.15 грн
15+3572.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 Виробник : INFINEON 2354601.pdf Description: INFINEON - FP35R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 54A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 54A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5030.11 грн
5+4827.09 грн
10+4623.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4B11BOMA1
Код товару: 180186
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-FP35R12W2T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed3bcbcc0279 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 944ds_fp35r12w2t4_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 944ds_fp35r12w2t4_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 944ds_fp35r12w2t4_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 944ds_fp35r12w2t4_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215000mW 23-Pin EASY2B-2 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FP35R12W2T4_B11_DS_v02_00_EN-3361458.pdf IGBT Modules EASY STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.