FP35R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 54A 215W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4149.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP35R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP35R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 54A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 215W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 215W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 54A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FP35R12W2T4BOMA1 за ціною від 3794.26 грн до 4838.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP35R12W2T4BOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FP35R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 54A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 215W euEccn: NLR Verlustleistung: 215W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 54A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FP35R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FP35R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FP35R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215000mW 23-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FP35R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
товару немає в наявності |