FP35R12W2T4BOMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FP35R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 54A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 54A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4199.87 грн |
| 5+ | 3779.80 грн |
| 10+ | 2807.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP35R12W2T4BOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - FP35R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 54A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 215W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 215W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 54A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FP35R12W2T4BOMA1 за ціною від 4147.25 грн до 4849.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP35R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 54A 215W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 215 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FP35R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FP35R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FP35R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215000mW 23-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FP35R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
товару немає в наявності |