Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP35R12W2T7B11BOMA1
FP35R12W2T7B11BOMA1

FP35R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-FP35R12W2T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186889a72f2
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5.8 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3860.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP35R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP35R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 35 A, 1.6 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, Dauer-Kollektorstrom: 35A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 35A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції FP35R12W2T7B11BOMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FP35R12W2T7B11BOMA1 FP35R12W2T7B11BOMA1 INFINEON 3154634.pdf Description: INFINEON - FP35R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 35 A, 1.6 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon_FP35R12W2T7_B11_DataSheet_v02_00_EN-3162971.pdf IGBT Modules 1200 V, 35 A PIM IGBT module
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T7B11BOMA1 3154634.pdf
FP35R12W2T7B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP35R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 35 A, 1.6 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T7B11BOMA1 Infineon_FP35R12W2T7_B11_DataSheet_v02_00_EN-3162971.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 35 A PIM IGBT module
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.