FP35R12W2T7B11BOMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FP35R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 35 A, 1.6 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3495.08 грн |
| 5+ | 3407.60 грн |
| 10+ | 3319.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP35R12W2T7B11BOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - FP35R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 35 A, 1.6 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, Dauer-Kollektorstrom: 35A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 35A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FP35R12W2T7B11BOMA1 за ціною від 3717.47 грн до 3990.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP35R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5.8 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.62 nF @ 25 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FP35R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 35 A PIM IGBT module |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
 |
FP35R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 23-Pin Tray |
товару немає в наявності |