Технічний опис FP40R12KE3
- IGBT MODULE, 1200V, ECONOPIM
- Module Configuration:1 Pair Series Connection
- DC Collector Current:55A
- Max Voltage Vce Sat:2.3V
- Max Power Dissipation:200W
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1.2kV
- Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Case Style:Econopim
- Termination Type:Solder
- Transistor Polarity:NPN
- Transistor Type:IGBT Module
- Av Current If:40A
- Max Current Ic Continuous a:55A
- Max Current Ifs:315A
- Max Power Dissipation Ptot:200W
- Power Dissipation:200W
- Pulsed Current Icm:80A
- Voltage Vces:1200V
- Voltage Vrrm:1600V
Інші пропозиції FP40R12KE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FP40R12KE3 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 210000mW Automotive 24-Pin ECONO2-5 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
FP40R12KE3 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200V 40A PIM |
товару немає в наявності |
|
 |
FP40R12KE3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 80A Application: Inverter Power dissipation: 200W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: EconoPIM™ 2 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO2-5 |
товару немає в наявності |