Технічний опис FP40R12KE3
- IGBT MODULE, 1200V, ECONOPIM
- Module Configuration:1 Pair Series Connection
- DC Collector Current:55A
- Max Voltage Vce Sat:2.3V
- Max Power Dissipation:200W
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1.2kV
- Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Case Style:Econopim
- Termination Type:Solder
- Transistor Polarity:NPN
- Transistor Type:IGBT Module
- Av Current If:40A
- Max Current Ic Continuous a:55A
- Max Current Ifs:315A
- Max Power Dissipation Ptot:200W
- Power Dissipation:200W
- Pulsed Current Icm:80A
- Voltage Vces:1200V
- Voltage Vrrm:1600V
Інші пропозиції FP40R12KE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FP40R12KE3 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 210000mW Automotive 24-Pin ECONO2-5 Tray |
товару немає в наявності |
|
|
FP40R12KE3 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200V 40A PIM |
товару немає в наявності |

