FP40R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 55A 210W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6710.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP40R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP40R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 55A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: 210W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 55A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FP40R12KE3GBOSA1 за ціною від 9412.70 грн до 12801.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP40R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 210W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FP40R12KE3GBOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FP40R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 55A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: 210W euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 55A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FP40R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 210000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FP40R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 210W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товару немає в наявності |