FP40R12KT3BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 105 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9575.06 грн |
| 15+ | 8636.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP40R12KT3BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP40R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 55A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: 210W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Siebenerpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 55A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FP40R12KT3BPSA1 за ціною від 8080.46 грн до 10399.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP40R12KT3BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FP40R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 55A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: 210W euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Siebenerpack productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 55A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP40R12KT3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP40R12KT3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| FP40R12KT3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005422408 |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
FP40R12KT3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module |
товар відсутній |