Технічний опис FP50R06KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP50R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 60 A, 1.45 V, 190 W, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45, Dauer-Kollektorstrom: 60, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45, Verlustleistung Pd: 190, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600, Produktpalette: EconoPIM 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 60, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FP50R06KE3BOSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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FP50R06KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
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FP50R06KE3BOSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 Dauer-Kollektorstrom: 60 usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45 Verlustleistung Pd: 190 euEccn: NLR Verlustleistung: 190 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Produktpalette: EconoPIM 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 60 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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FP50R06KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
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