FP50R06W2E3B11BOMA1

FP50R06W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies


Infineon-FP50R06W2E3_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304320896aa20120b41276b3771a Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 600V 65A 175W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 175 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 2278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3542.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP50R06W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 100A, Power dissipation: 175W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: EasyPIM™ 2B, Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Case: AG-EASY2B-2, Max. off-state voltage: 0.6kV, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FP50R06W2E3B11BOMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP50R06W2E3B11BOMA1 FP50R06W2E3B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 388ds_fp50r06w2e3_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3B11BOMA1 FP50R06W2E3B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 388ds_fp50r06w2e3_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 175000mW 23-Pin EASY2B-2 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3B11BOMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FP50R06W2E3B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 175W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 2B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 0.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3B11BOMA1 FP50R06W2E3B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP50R06W2E3_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304320896aa20120b41276b3771a Description: IGBT MODULE 600V 65A 175W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 175 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3B11BOMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FP50R06W2E3B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 175W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 2B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.